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半导体再迎催化!国产颗粒内存条纷纷上市,存

近日,内存品牌Gloway(光威)官方网站上架了羿PRO系列内存,采用长鑫DDR4内存芯片,频率3000MHz,容量8G、16G,属于市面上的主流规格。据长鑫存储官网介绍,公司动态随机存取存储芯片(DRAM)产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、人工智能等领域,市场需求巨大并持续增长。

无独有偶,紫光国芯(UnilC)DDR4内存也已在京东上架,频率2400MHz,4G、8G容量的售价分别为169元和269元。

存储器是半导体最大的细分领域,目前由国外几大厂商寡头垄断。国内企业正在加快布局,按照规划,长鑫计划于2019年年末、2020、2021、2022年分别达到2万片、4万片、8万片、12万片的单月产能。有望拉动设备、封测、材料、设计各环节发展。

据了解,目前,我国在中低容量的存储器如NORFlash上国产替代进步明显,兆易创新、武汉新芯、上海东芯等均有所布局,与海外差距主要在产品的稳定性层面。而在大容量领域DRAM与3DNANDFlash,我国厂商正处于不断追赶阶段。

DRAM方面,紫光国芯与兆易创新积极拓展,但在先进主流市场DDR4、DDR5上与日韩美厂商仍存在差距,先进制程实现量产也需一定的发展时间。3DNANDFlash方面,技术、良率、可靠性均是我国存储厂商不断努力提升的方向,长江存储128层3DNAND产品的研发成功,以及此前64层3DNAND产品的量产,极大地缩小了与三星、美光、SK海力士等厂商的差距,存储的国产替代发展阶段进入新维度。

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